통신
RFHIC의 질화갈륨 (GaN) 기술을 통해 차세대
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.
2023년 12월 13일
GaN-on-SiC 소자로 제작된 OptiGaN 트랜지스터 시리즈는 비교적 낮은 예산으로 뛰어난 성능의 4G, 4G LTE 및 Open RAN 시스템을 설계하는 고객에게 안성맞춤인 제품군입니다.
매크로 셀 기지국, 중계기 및 원격 무선 장비 설계에 이상적입니다.
Benefits of GaN-on-SiC Technology
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LDMOS를 비롯한 트랜지스터와 달리, 질화갈륨 (GaN) 소자는 아래과 같은 장점이 있어 RF 전력증폭기 제작에 유리합니다.
- 뛰어난 열 안정성
- 높은 전력 효율
- 안정적인 일정성 (Linearity)
- 소형 디자인
RFHIC의 GaN-on-SiC 기술로 설계된 OptiGaN 트랜지스터를 통해 저렴한 비용으로 높은 성능을 갖춘 4G, 4G LTE 및 Open RAN 시스템을 구축할 수 있습니다.
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알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (KOSDAQ: A218410)는 대한민국 경기도 안양시 동안구에 위치한 무선주파수 반도체 전문기업으로,질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하고 있습니다. RF와 마이크로웨이브 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.
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