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무선통신 인프라 시장을 이끌고 있습니다.

최근 2022년 러시아의-우크라이나 전쟁과 2023년 이스라엘-하마스 전쟁이 발발하면서 불안한 국제 정세가 확산되는 가운데, 군용 드론 기술과 전자전의 중요성이 대두되고 있습니다. RFHIC의 GaN 기반 광대역 전력증폭기와 마이크로웨이브 시스템은 다양한 전파 방해 체계와 드론 격추용 마이크로웨이브 시스템에 활용될 수 있으며, 전자전에 있어 사용자에게 큰 우위를 제공합니다.
대공 전자 방해 공격 (Aerial Electronic Counter Measures, ECM)의 유형은 다음 세 가지로 분류됩니다.
전파 방해 장치는 적의 드론이나 미사일에 방해 무선주파수 신호를 보내는 장비를 뜻합니다. 적의 드론이나 미사일이 작동하는 주파수 대역에 해당하는 교란 신호를 보내, 제어 신호를 마비시키거나 목표 적중률을 낮출 수 있습니다.
고출력 마이크로웨이브 무기는 강한 전자기 펄스를 방출하여, 적의 드론이나 미사일의 오작동을 일으키는 장비입니다. 방출된 전자기 펄스가 드론이나 미사일 내부의 회로를 고열로 태우고 주요 부품을 파괴하는 원리입니다.
고출력 마이크로웨이브 무기는 강한 출력의 무선주파수를 정밀하게 방출하기 위해 첨단형 안테나가 설치되어 있는 경우가 대부분입니다.
무선주파수를 발생시키고 증폭시키는 데 있어, GaN-on-SiC (질화갈륨-실리콘 카바이드) 기반의 전력증폭기는 진공관 기반 전력증폭기에 비해 여러 장점을 가지고 있습니다. 더욱 넓은 범위 내에서 목표물을 정밀하게 포착할 수 있으며. 우수한 전력효율 덕분에 운용비용 또한 저렴한 편입니다. 또한, 작은 크기와 무게 덕분에 시스템 설계 시 유리합니다.
GaN-on-SiC 기술로 설계된 RFHIC의 광대역 전력증폭기와 고출력 마이크로웨이브 발생 장비 제품군을 소개합니다.
L,S,C,X 밴드를 아우르는 넓은 대역과, 120 kW에 이르는 출력을 자랑하는 RFHIC의 제품군은 전파 방해 장치와 고출력 마이크로웨이브 무기의 설계에 적합합니다.
RFHIC의 GaN-on-SiC 광대역 전력증폭기 제품군은 최소 20 MHz에서 6 GHz에 이르는 넓은 주파수 대역에서 가동하며, 다양한 전자전 위협에 대응할 수 있습니다.
RFHIC의 고출력 전력증폭기와 마이크로웨이브 발생 장비 제품군은 GaN-on-SiC 기반으로 제작되어, 뛰어난 성능과 전력효율을 자랑합니다. 내구성과 제품 수명 또한 우수하여, 오지를 비롯한 다양한 작전 환경에서 작동이 가능합니다.
L,S,C,X 밴드를 아우르는 넓은 주파수 대역과, 최대 120 kW까지 이르는 출력을 자랑하는 해당 제품군은 기성품은 물론 주문제작으로도 제공됩니다.
RFHIC는 고객의 요청사항에 맞춰 전력증폭기와 마이크로웨이브 발생 장비를 기성품뿐만이 아니라 주문제작으로도 제공하고 있습니다.
주파수, 출력, 전력효율, 규격, 무게 등 세밀한 요구사항까지 검토하여
고객의 시스템에 최적인 해결책을 제시합니다.
제품 설계, 제조 및 A/S까지 전부 RFHIC에서 직접 담당하고 있기에,
낮은 비용으로 신뢰성이 높은 제품과 서비스를 고객에게 제공합니다.
알에프에이치아이씨(주)에 대하여:
알에프에이치아이씨(주) (KOSDAQ: A218410)는 대한민국 경기도 안양시 동안구에 위치한 무선주파수 반도체 전문기업으로,질화갈륨 (GaN) 소자를 활용하여 트랜지스터, 전력 증폭기 및 마이크로웨이브 장비를 자체적으로 설계하고 제조하고 있습니다. RF와 마이크로웨이브 산업을 이끌어 더 나은 세상을 만들겠습니다.